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企業一般在單晶爐內設置冷卻結構

2024-02-25


    單(dan)晶(jing)爐(lu)(lu)(lu)是(shi)(shi)(shi)利(li)用石墨加熱器(qi)在惰(duo)性氣(qi)體(主(zhu)要是(shi)(shi)(shi)氮氣(qi)和氦氣(qi))環(huan)(huan)境中(zhong)熔化多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)等多(duo)(duo)晶(jing)硅(gui)材料,采(cai)用齊拉斯(si)基法生(sheng)長(chang)無位錯單(dan)晶(jing)的(de)一種設(she)備。它的(de)內部(bu)結(jie)構(gou)*其復雜。但是(shi)(shi)(shi)單(dan)晶(jing)硅(gui)棒的(de)生(sheng)產對環(huan)(huan)境要求(qiu)非常高。如(ru)果(guo)(guo)爐(lu)(lu)(lu)體溫(wen)度過高,爐(lu)(lu)(lu)體會變形,影響設(she)備尺寸和單(dan)晶(jing)硅(gui)棒的(de)生(sheng)長(chang)。如(ru)果(guo)(guo)爐(lu)(lu)(lu)體長(chang)期處于高溫(wen)環(huan)(huan)境的(de)工(gong)作狀態,爐(lu)(lu)(lu)體上會出現裂紋,對爐(lu)(lu)(lu)體造成損壞,降低爐(lu)(lu)(lu)體的(de)使(shi)用壽命(ming)。

   為了降(jiang)低(di)單晶爐工作過(guo)程中的(de)(de)溫度(du),一般在(zai)單晶爐內設(she)置冷(leng)(leng)(leng)(leng)卻(que)(que)結構,通(tong)過(guo)冷(leng)(leng)(leng)(leng)卻(que)(que)水(shui)循環系統(tong)將單晶爐內的(de)(de)熱(re)量帶走(zou),從而(er)降(jiang)低(di)單晶爐內的(de)(de)溫度(du)。但是,水(shui)冷(leng)(leng)(leng)(leng)卻(que)(que)系統(tong)需要配備冷(leng)(leng)(leng)(leng)水(shui)機組、冷(leng)(leng)(leng)(leng)卻(que)(que)池、冷(leng)(leng)(leng)(leng)卻(que)(que)水(shui)泵、熱(re)交換器(qi)等(deng)設(she)備。整個(ge)系統(tong)結構復(fu)雜,占用(yong)空間大,對水(shui)質和(he)流量有(you)特殊要求。安裝和(he)使用(yong)困(kun)難。

半(ban)導體工藝設備為大規模(mo)半(ban)導體制(zhi)造(zao)提供了制(zhi)造(zao)基礎。描(miao)繪(hui)電子產業未來的(de)摩(mo)爾定律,將導致未來半(ban)導體器件的(de)集成化和小型化程度更高,功能更強(qiang)。

單晶爐

單晶爐(lu)是一(yi)種全自動直(zhi)(zhi)拉(la)單晶生長爐(lu),是利用石墨(mo)加熱器在(zai)惰性氣(qi)體(氮(dan)氣(qi)、氦氣(qi))環境中(zhong)熔化多(duo)晶硅等多(duo)晶材(cai)料,采用直(zhi)(zhi)拉(la)法生長無位錯(cuo)單晶的(de)設備。

單晶硅爐的(de)模型有兩種命(ming)名方(fang)法(fa),一種是(shi)(shi)進料量,另一種是(shi)(shi)爐膛直(zhi)徑。如120、150等型號由進料量決(jue)定,85爐指的(de)是(shi)(shi)主爐筒直(zhi)徑。

單(dan)晶硅爐的(de)主體由主機(ji)、加(jia)熱(re)電源和(he)計算機(ji)控制(zhi)系統組成。


制冷機主要應用于空調冷卻系統、冷凍系列、注塑、制革、發泡、發電、汽輪機、鋁型材加工、空壓機、工業水冷卻等領域,應用最多的為空調冷卻、冷凍、塑膠化工行業。
工業生產或制冷工藝過程中產生的廢熱,一般要用冷卻水來導走。冷卻塔的作用是將挾帶廢熱的冷卻水在塔內與空氣進行熱交換,使廢熱傳輸給空氣并散入大氣中。
例(li)如:火電廠內,鍋(guo)爐將水(shui)(shui)加熱(re)成高溫高壓(ya)蒸汽(qi),推動汽(qi)輪機(ji)做功使發電機(ji)發電,經汽(qi)輪機(ji)作功后的廢汽(qi)排入冷(leng)(leng)凝器,與(yu)冷(leng)(leng)卻(que)水(shui)(shui)進行熱(re)交換凝結成水(shui)(shui),再(zai)用水(shui)(shui)泵打(da)回(hui)鍋(guo)爐循環(huan)使用。這(zhe)一過(guo)程中(zhong)乏汽(qi)的廢熱(re)傳給(gei)了冷(leng)(leng)卻(que)水(shui)(shui),使水(shui)(shui)溫度(du)升高,挾帶廢熱(re)的冷(leng)(leng)卻(que)水(shui)(shui)。


單晶硅片的工藝流程

硅(gui),地(di)球(qiu)上有(you)很多含硅(gui)的東西。似乎90%以上都是晶硅(gui),也(ye)就是單晶硅(gui)。太陽能(neng)級(ji)硅(gui)的純(chun)度在6N以上。

首先是石頭(所(suo)有的(de)石頭都(dou)含有硅(gui))。將石頭加熱至液態,再加熱至氣(qi)態。讓氣(qi)體(ti)通過一個密封的(de)大盒子(zi)。盒子(zi)里有N個以上的(de)子(zi)晶體(ti)用于加熱,兩(liang)端用石墨夾緊。當(dang)氣(qi)體(ti)穿過盒子(zi)時(shi),子(zi)晶體(ti)會將其(qi)中一種氣(qi)體(ti)吸收到子(zi)晶體(ti)上,子(zi)晶體(ti)就會逐漸變厚。因為氣(qi)體(ti)變成(cheng)固體(ti),很(hen)慢,大約(yue)一個月左右,盒子(zi)里有很(hen)多(duo)長(chang)初級多(duo)晶硅(gui)。

單晶(jing)硅芯(xin)片由此進入生(sheng)產過程(cheng):

1. 酸洗:用稀硝酸HNO3進行清洗,去除精煉過程中(zhong)產生的表面雜質和(he)四氯化(hua)硅。

2. 清(qing)洗(xi):清(qing)洗(xi)酸洗(xi)后硅(gui)材(cai)料(liao)的殘(can)留雜質。

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